Общая информация
Дата выхода на рынок	2021 г.
Основные
Объём	2 ТБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash	3D QLC NAND
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	100 TBW
Технические характеристики
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения	3 200 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	3 000 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	500 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	450 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)	1.1 Вт
Энергопотребление (ожидание)	0.25 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)	1 000 000 ч
Толщина	2.38 мм
Охлаждение
Подсветка